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晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种，从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。

发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集结结。基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区"发射"的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里；NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。

东芝硅NPN型晶体管三扩散类型

高电压切换应用程序

开关式应用程序

直流-直流变换器的应用程序

•高速开关:tr = 0.5μs(max)= 0.3μs特遣部队(max)(IC = 0.8)

•高击穿电压收集器:VCEO = 400 V

•高直流电流增益:hFE = 40(min)(IC = 0.2)

集电极-基极电压VCBO 600 V

Collector-emitter VCEO电压400 V

发射极基极电压VEBO 7 V直流IC 2

集电极电流脉冲ICP 4

一个基极电流0.5磅Ta = 25°C 1.0收集器的力量耗散Tc = 25°C

个人电脑15W结温Tj150°C 存储温度范围测试−55到150°C