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晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种，从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。

发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集结结。基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区"发射"的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里；NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。

东芝硅PNP晶体管三扩散类型

高压开关应用

z高压:VCBO =−400 V

z高速:tf = 0.3μs(max)(IC =−1.0)

收集器−基地电压VCBO−400 V

收集器−发射极电压VCEO−400 V

发射极电压VEBO−基地−7 V直流IC−2

集电极电流脉冲ICP−4

一个基极电流IB−1Ta = 25°C 1收集器功耗Tc = 25°C

个人电脑15W 结温Tj 150°C 存储温度范围测试−55 ~ 150°C