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晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种，从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。

发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集结结。基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区"发射"的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里；NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。

特性

•低电流(max。200 mA)

•低电压(max。40 V)。

应用程序

•高速饱和交换。

描述

NPN型开关晶体管在SOT223塑料包。

PNP型补充:PZT3906

马克斯符号参数条件。单位

VCBO集电极-基极电压打开发射器−60 V

VCEO collector-emitter电压开底−40 V

VEBO开路集电极发射极基极电压−6 V

IC集电极电流(直流)−200 mA

ICM集电极电流峰值−300 mA

IBM基极电流峰值−100 mA

Ptot总功耗Tamb≤25°C;注1−1.05 W

测试存储温度−65 + 150°C

Tj结温−150°C

操作环境温度Tamb−65 + 150°C